William Shockley , John Bardeen ve Walter Brattaintransistör in1948 icat ve 1956 yılında fizikcihazı , iki tip , NPN ve PNP mevcut bir katı-hal bileşeni , yerini vakum tüpleriNobel Ödülü verildi 1970transistörün küçük boyutu ile çoğu elektronik devrelerde , yüksek verim ve düşük maliyetli20. yüzyılın sonlarında bilgisayarlar , radyo ve televizyon ilerlemesini hızlandırmak yardımcı oldu. Malzeme

NPN transistörünü her katmana bağlanan küçük tellerle birlikte preslenmiş özel olarak işlemden geçirilmiş silikon üç katmandan bir sandviç oluşur. Bir plastik iç kap çevreleyen ve hasar ve kirdenhassas silikon korur . Plastik veya metalden yapılmış bir dış kap ,iç kabı ve transistorun üç potansiyel tutar. Her bir talebi transistörün içindeki küçük tellerin birisine bağlanır , ve cihaz için sağlam bir destek olarak hizmet etmektedir.
Kutup

dış iki silikon tabakalar izleri içerir
kirlilikler negatif elektrik yüklerini tercihsilikon neden takviyeler denir . İç katman pozitif yük tercih eder. Katmanların sırası , Negatif – Pozitif – Negatif ,transistör adını verir. Diğer emir , Pozitif – Negatif – Pozitif , bir PNP transistör verir . Nasıl ve bir devre nerede çalıştığını bir transistörün kutupluluk dikte
kullanır

Transistörler elektronik devrelerde iki temel işlevleri gerçekleştirir: . Anahtarlama ve kuvvetlendirme . Bir anahtar olarak , bir transistör ve bir küçük mevcut kontrollerin kapalı büyük bir akım açabilirsiniz . Bir mekanik anahtar da bunu yapabilirsiniz , ancaktransistör saniyede kere çeşitli milyarlarca kadar hızlarda geçiş yapabilir ve o sessizce ve sürtünme veya aşınma olmadan yapmak . Bir transistörün yükseltici eylem aynı zamanda küçük olanlar ile büyük akımları kontrol eder; Bu durumda, akımların bir aralığı üzerinde çalışmaktadır. Güvenilir akımları kontrol etme yeteneği elektronik tasarım için temel öneme sahiptir .
Boyut

büyük NPN transistörleri gücü birkaç yüz watt işlemek ve vakası birboyutu var küçük bir kurabiye . En ayrık NPN transistörler , kendi ayrı paketine sahip olanlar , bir kalem silgiboyutu vardır . Entegre devreler , ya da IC , onları görmek için bir yüksek – enerjili mikroskop gerekir çok küçük NPN transistöre sahip .